Высокоэнергетический ионный имплантер китайского производства успешно осуществил ускорение ионов до 1 млн эВ

Пекин, 30 июня /Синьхуа/ — Высокоэнергетический ионный имплантер, являющийся самостоятельно разработкой Китайской электронной научно-технологической корпорации, успешно осуществил высокоэнергетическое ионное ускорение в 1 млн эВ. Об этом сообщили в компании в воскресенье.

Ионный имплантер имеет ключевое значение для производства микросхем, а высокоэнергетический ионный имплантер необходим для изготовления интегральных схем, которые используются в логике, памяти и видеосенсорах.

Высокоэнергетический ионный имплантер может значительно улучшить характеристики устройств, особенно видеосенсоров, которые широко используются в охранной и потребительской электронике.

Китай завершил разработку ионных имплантеров со средними и высокими токами, которые могут передавать энергию до сотен кэВ. Первый высокоэнергетический ионный имплантер будет доступен к концу 2020 года.

Добавить комментарий